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Display Week 2017 報告

Display Week 2017 報告SEAJ Journal 2017. 8 No. 158 21M-OLED は、高コントラスト比や高速応答時間などの優れた画質のために、拡張現実感(AR)メガネへの応用として注目を集めている。この分野は、より高い解像度が強く求められている。図16に、M-OLED の断面構造の概略図を示す。カラー表示を実現するために、カラーフィルタ構造を有するトップエミッション白色OLED を採用した。 シリコン基板上に画素駆動回路及びアノード電極を形成する。 白色OLED およびカソード電極がその上に堆積される。M-OLED では、ピクセル回路をさらに微細化することにより、さらなる解像度の向上が達成される。しかし、図に示すように、画素回路をさらに微細化すると、画素ごとの輝度ばらつきが大きくなり、輝度均一性が低下する。輝度均一性に影響を与える主要な要因は、各画素回路内の駆動トランジスタの閾値電圧(VTH)変動による放出電流の変動である。画素回路を微細化するためのトランジスタサイズを小さくすると、VTH ばらつきが大きくなる。画素を微細化しても輝度の均一性を向上させることが可能なM-OLED を提供することが望ましい。したがって、良好な輝度均一性を得るためには、電流変動を補償する必要がある。画素回路を単純化するために、薄膜トランジスタ(TFT)で駆動されるOLED ディスプレイのための外部補償方法が提案されている。しかしながら、M-OLED では、放出電流の変化を感知することは困難である。現状、小さなピクセルサイズのためにグレーレベルでサブナノアンペアである。したがって、エミッション電流の変動は、各ピクセル回路自体によって内部的に補償されなければならない。補償方式の画素回路を実現するためには、各画素回路にトランジスタとキャパシタを追加する必要がある。一方、トランジスタやキャパシタを追加することによって、解像度の向上が制限される可能性がある。したがって、高解像度表示のための追加要素を抑制することが望ましい。高解像度と輝度均一性を得るために、新しい4T2C 画素駆動回路を提案。 提案された画素回路は、トランジスタのVTH ばらつきを外部から補償することができ、高解像度の7.8μm 画素ピッチで良好な輝度均一性を得ることができる。VTH 補償の能力は、シミュレーションだけでなく実際のパネルのデモンストレーションを通しても検証した。 提案した画素回路を用いることにより、ハイエンドEVF に適した0.5型QVGA M-OLED を開発した。 さらに、1.25型WQXGA は、より高解像度のMOLED を実証するためにプロトタイプである。開発したOLED マイクロディスプレイは、超小型高精細ながらコントラスト比10,000:1以上、応答速度0.01ms以下を実現している。図17に各デバイスの写真と仕様を示す。3.2 ポラテクノの有機LED 用新規開発染料系偏光板論文は、N.Norio, et al., Late-News Paper “ Developmentof a Novel Dye-type Polarizer for Organic Light-emittingDiodes” (44-4L) である。短波長光の透過率が他の波長よりも格段に高く、OLED 電極からの反射光をカットする能力に優れたOLED 用の新規染料系型偏板を開発した。 従来のOLED に新開発の偏光板を採用することで、より低消費電力のOLED を実現することができる。OLED は発光型のディスプレイであり、薄型で軽量で高コントラストであるため、スマートフォンや大型テレビに応用されている。OLED の発光材料は、フルカラーディスプレイを実現するために、赤色/ 青色/ 緑色(RBG)の燐光または蛍光材料が用いられている。燐光材料は、良好な発光効率を有する赤色/ 緑色(RG)に使用することができるが、青色光のための実用的な燐光材料はないので、蛍光材料が現在使用されている。したがって、青色発光には高電流が必要で寿命が短くなる。OLED では、図18に示すようにλ /4板と偏図15 OLED マイクロディスプレイの特徴(SONY 資料)図16 OLED マイクロディスプレイの課題(SONY 資料)図17 新規開発OLED マイクロディスプレイ(SONY 資料)