| ウェーハプロセス用処理装置 - 素子形成（ウェーハプロセス）・電極形成／ウェーハ検査 |
| １． |
露光・描画装置（コンタクトプロキシミティ露光装置，投影露光装置（等倍、縮小），電子ビーム露光装置） |
| ２． |
レジスト処理装置（塗布装置，現像装置，レジスト剥離装置，ベーキング装置，レジスト安定化装置，ウェーハ周辺露光装置） |
| ３． |
エッチング装置（ドライエッチング装置） |
| ４． |
洗浄・乾燥装置（ウェットエッチング装置，乾式洗浄装置，湿式洗浄装置，スクラブ洗浄装置，乾燥装置，高圧噴射洗浄装置） |
| ５． |
熱処理装置（酸化装置，拡散装置，アニール装置） |
| ６． |
イオン注入装置（大電流イオン注入装置，中電流イオン注入装置，高エネルギーイオン注入装置） |
| ７． |
薄膜形成装置（7-1 ＣＶＤ装置：常圧ＣＶＤ装置，ＳＡＣＶＤ,減圧ＣＶＤ装置，プラズマＣＶＤ装置，ＭＯＣＶＤ装置、7-2 スパッタリング装置：スパッタリング装置、7-3 その他薄膜形成装置：真空蒸着装置，シリコンエピタキシャル成長装置，化合物半導体エピタキシャル装置，めっき装置） |
| ８． |
検査評価装置（外観検査装置，異物検査装置，ダストカウンタ，測長SEM，膜厚計，反射率測定機，オージェ電子分光装置，赤外分光光度計，シート抵抗測定器，ライフタイム測定機，その他各種計測・分析用装置） |
| ９． |
ＣＭＰ装置（CMP装置，CMP用洗浄装置） |
| １０． |
その他処理装置（ウェーハマーキング装置，マーク読み取り装置，裏面研削盤，バンプめっき装置，バックグラインダ用テープ貼付機，バックグラインダ、バックグラインダ用テープ剥離機） |
