SEAJ 一般社団法人 日本半導体製造装置協会
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半導体製造装置用語集
組立(Assembly)

用語解説
NCF (Non Conductive Film)
半導体チップの電極面と基板の回路面の接着に用いられ、アンダーフィルの機能を兼ねる。接着・絶縁の機能を同時に持つフィルム状接続材料。

NCP (Non Conductive Paste)
チップの電極面と基板の回路面の接着に用いられ、アンダーフィルの機能を兼ねる。接着・絶縁の機能を同時に持つ接続材料。

SOP (Small Outline Package)
向かい合う2方向の側面から外部端子が出ているパッケージ。

TEG (Test Element Group)
評価用単体素子の集まり。

デブリ (debris)
レーザ加工によって気化し、飛散した被加工材料が冷え固まったもの。

SiP (System in Package)
複数の半導体チップやはんだ付け部品を一つのパッケージに収め、一つのシステムとしたパッケージ。

先ダイシング
先ダイシングとは、まず先に Dicing 装置で溝入れ切断を行い、その後の Grinding 装置でウェーハを薄くすると同時に溝に到達し、チップに分割させるプロセスのことである。特徴は裏面 チッピングがないことによる抗折強度の改善と工程間の搬送割れリスクの低減、そしてエッチング処理を行わずに比較的、低コストで 50μm 厚という極薄チップを製造できることである。

QFP (Quad Flat Package)
パッケージの4方向全ての側面から外部端子が出ている表面実装型パッケージ。

BGA (Ball Grid Array)
パッケージの底面にボールバンプがエリア配置されている表面実装型パッケージの総称。

CSP (Chip Scale Package, Chip Size Package)
ダイに対して完成したパッケージの大きさが115%程度以下の面積となる場合にこの名称が用いられる。また比較的小さい BGA パッケージにこの名称を用いることもある。

TAB (Tape Automated Bonding)
テープ状のフィルムに繰り返し形成されたリードと半導体チップ上のボンディングパッドの対応する部分とを重ね合わせ適当な手段により接合し、多数の配線を行うボンディング。
これを行うボンダにはギャング方式とシングルポイント方式のものがある。

MCP (Multi Chip Package)
複数の半導体チップ等が収納されているパッケージの総称。

SoC (System on a Chip)
複数のチップ機能を混載してワン・チップにしたシステムLSI。開発期間の長期化と開発コストの増大などの問題がある。

DAF / DAF方式 (Die Attach Film Method)、ダイアタッチフィルム方式
ダイシングテープとボンディング剤としての機能を持ちあわせたフィルムをダイアタッチフィルムと呼び、そのフィルムを予めウェーハ裏面にラミネートまたは基板貼り付けして、ピックアップされたダイの裏面に形成されたDAFを基板またはダイを加熱することで硬化させてボンディングする方式をダイアタッチフィルム方式と呼ぶ。

QFN (Quad Flat Non-Lead Package)
パッケージの4方向全ての外部端子がパッケージの裏面に配置されている表面実装型パッケージ。

TCP (Tape Carrier Package)
TAB 技術にて製品化されているパッケージの総称。

WLP (Wafer Level Packaging)
ウェーハの状態でパッケージングを行い、最終的に切断してパッケージにする工程上の技術。

CBN (Cubic Boron Nitride)
立方晶窒化ホウ素と言い、砥石の砥粒に使用される素材。通常使用されるダイヤモンド砥粒に比べ熱に強い事が特長。

C4 (Controlled Collapsed Chip Connection)
ハンダバンプを使用した接合方法。

ACF/ACP (Anisotropic Conductive Film/Paste)
異方性導電フィルム/ペーストを使用した接合方法。

CF/NCP (Non Conductive Film/Paste)
非導電性フィルム/ペーストを使用した接合方法。


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