SEAJ 一般社団法人 日本半導体製造装置協会
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半導体製造装置用語集
デバイス関連

用語解説

MRAM
Magneto-resistive Random Access Memoryの略で磁気抵抗メモリと訳される。記憶素子に磁性体を用いた不揮発性メモリの一種。高速の読出/書込が可能で、消費電力もフラッシュ・メモリに比べ10分の1程度と少ないので、汎用メモリあるいは組込用メモリとして期待されている。

TMR
Tunneling Magneto-resistanceの略でトンネル磁気抵抗と訳される。トンネル絶縁膜を二つの強磁性層がはさむ構造よりなる。この強磁性層/トンネル絶縁膜/強磁性層を貫いて流れる電流に対する抵抗が、二つの強磁性層の磁場方向が平行であれば抵抗が小さく、反平行であれば抵抗が大きくなる現象をトンネル磁気抵抗効果という。

MTJ
Magnetic Tunnel Junctionの略。トンネル磁気抵抗(TMR)効果を利用した素子をいい、TMR素子とも呼ばれる。

MR比
磁気抵抗効果を利用する素子で、磁場に依存して変化する最大の抵抗値と最小の抵抗値の比、(最大の抵抗値)/(最小の抵抗値) をMR比という。

ピン層(固定層)とフリー層
TMR素子ではトンネル絶縁膜をはさむ二つの磁性層中、片方の磁場層の方向は固定されて用いられる。この磁性層をピン層という。もう一方の磁性層の方向がピン層の磁性層の磁場方向に対し平行、あるいは反平行となるように向きを変えられ、TMR素子の抵抗が小さい場合と大きい場合が選ばれる。この磁性層をフリー層という。

スピントルク注入
電子のもつ固有磁気モーメントをスピンといい、2つの方向しかとることが出来ない。スピン注入というのは、スピン方向が一定方向の電子をTMR素子に流し込みフリー層磁界を反転させる事をいう。

PCRAM
Phase Change Random Access Memoryの略。OUMとも言われ、パルス電流により相変化層の抵抗値を変えメモリセル電流の大小で情報を区別する。

ReRAM
Resistive Random Access Memoryの略。印加電界により電気抵抗率が大きく変化する材料をセルの抵抗素子として用いる。

CER効果
Colossal Electro-Resistanceの略。電界により大きく抵抗値の変わる現象を言う。

暗電流
暗い画像撮影中に、生成再結合中心により発生する電荷による電流。

オーバーフロー・ドレイン
ブルーミングを抑制するための過剰な電荷を排出する構造。

スミア
読み出し動作時に、アレイ信号に他の画素信号が漏れこみ、強い光の像の上下に線状に明るくなる。

ブルーミング
点状の強い光が入射した場合に信号電荷が画素から周囲にあふれ出し、画像が滲んだように見える。


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