SEAJ 一般社団法人 日本半導体製造装置協会
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半導体製造装置用語集
lithography(リソグラフィー)

用語解説

多層レジストプロセス
複数種のレジストを多層に塗布、形成することにより、レジスト表面を平坦化し、レジスト層内又は基板表面からの光、又は電子線の反射、散乱効果を減少させて、解像力を向上させる方法。

変形照明(斜入射照明)
光軸の中心を外した位置に絞りを入れることによりレチクルに対し露光光束を斜めに入射させる照明方法であり、解像度や DOF が向上する。絞り形状により輪帯照明、四(重)極照明などとも呼ばれる。

位相シフト、PSM(Phase Shift Mask:位相シフトマスク)
位相シフトは PSM を用いて光の位相を変化させることにより、解像度及び DOF の向上を図る技術。PSM には HT (ハーフトーン)マスク(Attenuate-PSMとも言う)やレベンソンマスク(Alternative-PSMとも言う)などの種類がある。

OPC(Optical Proximity Correction:光学近接効果補正)
パターンの微細化に伴い、複数パターンの近接によって転写されたパターン形状が変化してしまう近接効果が顕著になるため、レチクル上に微細な補正パターンをいれることによって転写パターン形状をコントロールする技術。

ME(E)F(Mask Error(Enhancement)Factor)
レチクル上の誤差がウェーハ上で拡大される比率。

複屈折 (birefringence)
物質の境界面で屈折する光が2つに分離する現象。物理的には 物質中を通過する光が振動面の向きにより進む速度が異なる、即ち、位相差が生じることを言い、複屈折が確認される物質を光学的に異方性があるという。複屈折量は位相差を波長で規格化し、長さの単位であらわすのが一般的で、例えば 157nm の光で20°の位相差がある場合、157 × 20/360 = 8.6 nm となる。

ULPA (Ultra Low Penetration Air)フィルタ
定格風量で粒径が 0.15μm の微粒子に対し 99.9995% 以上の粒子捕集率があるフィルタ。

SR (Synchrotron Radiation)
光速に近い電子が磁場により曲げられる時に発生する光。

発光点出力
EUV光源プラズマから単位時間に放射される取り出し可能な13.5nmを中心波長とし2%のスペクトル帯域内のEUVエネルギー総量。

集光点出力
発光点を第1焦点とする楕円鏡で第2焦点に集光された 13.5nm を中心波長とし 2%のスペクトル帯域内の単位時間に放射されるEUVエネルギー総量。現状の技術では集光点出力は発光点出力の数分の一に減衰する。

LER(Line Edge Roughness)
パターン転写の後、現像後、及び、エッチング後のパターンエッジのラフネスが問題になる。このラフネスを LER ( Line Edge Roughness ) と呼ぶ。また、パターンの線幅寸法を測定してそのバラツキを LWR ( Line Width Roughness )と呼ぶ。

APC(Advanced Process Control)
フィードバック、フィードフォワードによりプロセス性能(CD、OL等)の向上を目指すシステムである。近年は、データのサンプリングのための計測機器を装置内に組み込む取り組みが進められている。


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