一般社団法人日本半導体製造装置協会／ウェーハプロセス用処理装置 - 素子形成（ウェーハプロセス）・電極形成／ウェーハ検査

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ウェーハを高温の拡散炉(900°C～1,100°C)の中で酸化性雰囲気にさらし、表面に酸化膜を成長させます。

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ウェーハの研磨

フォトレジストを極めて薄く均一に塗布して、ウェーハに感光性を持たせます。

フォトマスクを介し、露光してマスクのパターンを焼きつけた後、現像します。

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フォトマスク作成

エッチングして部分的に酸化膜を除去します。その後、不要なレジストも取り除きます。

ウェーハにイオンを注入(ボロン、リン)や高温拡散を行うとシリコンが出ている部分だけが半導体になります。

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電極形成へ

ウェーハ表面を研磨し、パターンの凹凸を平坦化します。

フォトレジスト塗布から平坦化までの工程を繰り返し、ウェーハにトランジスタなど必要な素子を作り込みます。

不活性ガスプラズマによりアルミターゲットをスパッタリングし、ウェーハ表面に電極配線用のアルミ金属膜を形成します。

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酸化・拡散・CVD・イオン注入

ウェーハをチップごとに試験し、良品・不良品の確定をし、不良品にはマークをつけます。

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ウェーハのダイジング