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半導体/FPDってなに?
ウェーハプロセス用処理装置 - 素子形成(ウェーハプロセス)・電極形成/ウェーハ検査
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ウェーハの酸化
ウェーハの表面を酸化 ウェーハを高温の拡散炉(900°C〜1,100°C)の中で酸 化性雰囲気にさらし、表面に酸化膜を成長させます。

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ウェーハの研磨

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フォトレジスト塗布
フォトレジスト塗布 フォトレジストを極めて薄く均一に塗布して、ウェーハ に感光性を持たせます。

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ウェーハ表面にパターン形成
ウェーハ表面にパターン形成 フォトマスクを介し、露光してマスクのパターンを焼きつけた後、現像します。

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フォトマスク作成

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エッチング
エッチング エッチングして部分的に酸化膜を除去します。その後、不要なレジストも取り除きます。

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酸化・拡散・CVD・イオン注入
酸化・拡散・CVD・イオン注入 ウェーハにイオンを注入(ボロン、リン)や高温拡散を行うとシリコンが出ている部分だけが半導体になります。

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電極形成へ

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平坦化(CMP)
平坦化(CMP) ウェーハ表面を研磨し、パターンの凹凸を平坦化します。
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フォトレジスト塗布から平坦化までの工程を繰り返し、ウェーハにトランジスタなど必要な素子を作り込みます。


電極形成
電極形成 不活性ガスプラズマによりアルミターゲットをスパッタリングし、 ウェーハ表面に電極配線用のアルミ金属膜を形成します。

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酸化・拡散・CVD・イオン注入

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ウェーハの検査
ウェーハの検査 ウェーハをチップごとに試験し、良品・不良品の確定をし、不良品にはマークをつけます。

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ウェーハのダイジング



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