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リソグラフィー専門委員会主催 技術講演会

 

   リソグラフィ専門委員会(2016-2017)では、2年目の活動テーマに、注目すべき技術 として、『高集積化ソリューションと関連技術の調査アイテム』 を挙げ、この度、この分野のトップレベルの有識者の方による技術講演会を企画いたしました。
  ご関係者はもちろん、周りにご興味のある方がいらっしゃいましたら、 ご紹介いただけますと幸いです。
  皆様のご参加をお待ち申し上げます。


開催日程
開 催 場 所

2018年3月16日(金)

 15:00(受付14:45)〜17:00

東京貨物運送健康保険組合 保健会館
新宿区四谷1-23

5F大会議室

島津製作所 東京支社 地図
       

@15:05-16:00

A16:05-17:00

「EUVLレジストプロセスの最新動向」

「マルチパターニングによる微細化と

パターン解像忠実度について」

国立大学法人大阪大学

産業科学研究所 

量子ビーム物質科学研究分野  教授

古澤 孝弘様

東京エレクトロン株式会社

CORPORATE TECHNICAL MARKETING DEPT

チーフエンジニア  八重樫 英民

   高解像度化のために短波長化が繰り返されてきた半導体リソグラフィの光源は、次世代の極端紫外光(EUV)リソグラフィにおいて、はじめて電離放射線領域に入 り、EUVリソグラフィはシングルナノ領域の半導体大量生産を可能にする製造技術として期待されています。

  本講演では、シングルナノ実現に向けたレジストプロセスの課題と最新の技術動向を反応機構をまじえ解説します。

  EUV技術が 次世代を担う微細化技術であることは 間違いないが、特に微細化が加速するロジックデバイスでは193液浸の延命技術として、スペーサベースのマルチパターニングとカットパターンを組み合わせた“Complementary lithoraphy”が主流である。

  この微細化進展の中で、LER,Local-CDU,Local Placemnet errorに象徴される解像性能の計測基準に沿って Sub-ナノメータレベルのパターン解像忠実度を制御することが望まれている。

  本講演では、これらの課題に対する対策と実証結果を紹介させて頂く。

 【対象】 SEAJ正会員・賛助会員限定となります。

 【参加費】    無 料

  【お申し込み方法】  件名を 「リソ技術講演会 3/16」 として、ご連絡先を記載の上、  info@seaj.or.jp までメールにてお申し込み下さい。(要 ご参加者のe-mailアドレス・電話番号)

【定員】 60名

3/9(金)までにお申込下さい。以降はお電話にてお問い合わせ下さい。

【担当】 事務局 星野・後藤 info@seaj.or.jp  03-3261-8262





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