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半導体製造装置用語集
リソグラフィ (Lithography)
1. リソグラフィ (Lithography)一般
- ArFi (ArF Immersion)露光、ArF液浸露光
- ArFエキシマ液浸露光 (ArF Excimer Immersion Lithography)
- ArFエキシマ露光 (ArF Excimer Lithography)
- i線露光 (i-line Lithography)
- 確率的影響 (Stochastic Effect)
- 計算機リソグラフィ (Computational Lithography)
- KrFエキシマ露光 (KrF Excimer Lithography)
- 高NA極端紫外線露光 (High NA EUV Lithography)
- 極端紫外線露光 (EUV Lithography)
- 二光束干渉露光 (Two Luminous Flux Interference Lithography)
- Low k1露光 (Low-k1 Lithography)
2. 露光機 (Exposure tool)
- アナモルフィック投影光学系 (Anamorphic Projection Optics)
- 開口数 (Numerical Aperture)
- 解像性向上手法 (Resolution Enhanced Technique)
- ケラー照明 (Kohler Illumination)
- シグマ (σ)値 (Sigma Value)
- 斜入射照明 (Oblieque Illumination)
- 斜入射露光 (Off-Axis Illumination)
- 収差 (Aberration)
- ゼルニケの多項式 (Zernike Polynominal)
- タチアンの多項式 (Tatian Polynomial)
- 反射屈折系 (Catadioptric Optics)
- 変形照明 (斜入射照明)
- レイリーの式 (Rayleigh's Formula)
3.光源 (Source)
- ArF Excimer Laser
- EUV Multi Layer Mirror
- EUV集光点出力 (EUV Power at IF Point)
- In-Band EUV
- KrF Excimer Laser
- Master Oscillator Power Amplifier System (MOPA)
- Master Oscillator Power Oscillator System (MOPO)
- オプティカルパルスストレッチ (Optical Pulse Strech)
- キャッピングレイヤー (Capping Layer)
- 狭帯域化 (Line Nallowing)
- 極端紫外線 (EUV：Extreme Ultraviolet)
- コレクターミラー、集光ミラー (Collector Mirror)
- 集光点輝度 (Brightness at IF Point)
- 集光点出力
- SR (Synchrotron Radiation)
- シンクロトロン放射光 (SR：Synchrotron Radiation)
- 深紫外線 (DUV：Deep Ultraviolet)
- 中間集光点 (IF：Intermediate Focus)
- デブリミティゲーション (Debris Mitigation)
- 発光点 (Plasma Point)
- 発光点輝度 (Brightness at Plasma Point)
- 発光点出力 (EUV Power at at Plasma Point)
- 変換効率 (CE：Convergence Efficiency)
- 放電生成プラズマ (DPP：Discharge Produced Plasma)
- マルチフォーカシング (Multi Focusing)
- レーザートリガー放電EUV光源 (LDP EUV Source：Laser Triggered Discharge EUV Source)
- レーザー誘起プラズマ (LPP：Laser Produced Plasma)
- レーザー誘起プラズマEUV光源 (LPP EUV Source：Laser Produced Plasma EUV Source)
4.フォトマスク (Photomask)
- EUVマスク (EUV Mask)
- アクティニック検査 (Actinic Inspection)
- 位相欠陥
- 位相シフトマスク (PSM：Phase Shift Mask)
- OPC (Optical Proximity Correction：光学近接効果補正)
- 吸収体 (Absorber)
- 光源マスク最適化 (SMO：Source Mask Optimization)
- 合成石英ガラス製フォトマスク基板 (Synthetic Silica Glass Photomask Substrate)
- 渋谷―レベンソン型位相シフトマスク (Alternative PSM)
- スーパーポリッシュ基板 (SP：Super Polish Plate)
- ステンシルマスク (Stensil Mask)
- 静電破壊 (ESD：Electrostatic DamageあるいはElectrostatic Destruction)
- 多層膜 (ML：Multilayer)
- 炭酸ガス添加超純水
- 二流体洗浄
- バイナリマスク (Binary Mask)
- 反射防止膜 (AR：Anti-Rreflective Film)
- 光近接効果補正 (OPC：Optical Proximity Correction)
- ピンホール (Pin Hole)
- フォトマスク (Photmask)、マスク (Mask)
- 複屈折 (Birefringence)
- ヘイズ (Haze)
- ME(E)F (Mask Error (Enhancement)Factor)
- マスクブランク (Maskblank)
5.電子ビームマスク描画 (Electron-beam mask write)
- 可変成形 (VSB：Variable Shaped Beam)
- 近接効果 (Proximity Effect)
- 近接効果補正 (PEC：Proximity Effect Correction)
- クーロン効果 (Coulomb Interaction Effects)
- 後方散乱 (Backscattering)
- 前方散乱 (Forward Scattering)
- 電子光学系 (EOS：Electron Optical System)
- 電子ビーム直接描画 (EBDW：Electron-Beam Direct Write)
- 電子ビームマスク描画 (EBMW：Electron-Beam Mask Write)
- 点像強度分布関数 (PSF：Point-Spread Function)
- ブランキングアパーチャアレイ (BAA：Blanking Aperture Array)
- ポイントビーム (Point Beam)
- マスクデータ変換 (MDP：Mask Data Preparation)
- マルチビーム (MB：Multi-Beam)
- 露光強度分布関数 (EID Function：Exposure Intensity Distribution Function)
6.マスク検査 (Mask inpsection)
- CD欠陥 (CD Defect)
- 位相欠陥 (Phase Defect)
- 遠紫外光検査 (DUV Inspection)
- 加速電圧 (Acceleration Voltage, Accelerating Voltage)
- 感度表 (Sensitivity Table)
- 疑似欠陥 (False Defect)
- 疑似欠陥 (Nuisance Defect)
- 形状欠陥
- 欠陥自動分類 (ADC：Automatic Defect Classification)
- 再認定 (Re-Qualification)
- 遮光帯 (Black Boarder)
- 成長性結晶 (Opaque)
- ダイ・トゥー・ダイ (Die to Die)
- ダイ・トゥー・データベース (Die to Database)
- 作り込み欠陥マスク (Programmed Defect Mask)
- デュアル・ポッド (Dual Pod)
- 電子線検査 (Electron Beam Inspection)
- 二次電子 (Secondary Electron)
- ブリッジ欠陥 (Bridge Defect)
- ペリクル (Pelicle)
- 補助パターン (SRAF: Sub-Resolution Assist Feature)
- マスク修正装置 (Mask Repaire Equipment)
- マスク洗浄装置 (Mask Cleaning Equipment)
- マルチカラム方式 (Multi-Colmun Method)
- マルチビーム方式 (Multi-Beam Method)
- リターディング電圧 (Retarding Voltage)
7.レジストプロセス (Resist Process)
- ASD (Area Selective Deposition)
- ArF液浸レジスト (ArFi Resist、 ArF imersion resist)
- ArFレジスト (ArF Resist)
- EBR処理 (EBR：Edge Bead Removal)
- EBレジスト (EB Resist)、電子線レジスト (Electron Beam Resist)
- EUVレジスト (EUV Resist)
- g線レジスト (g-line Resist)
- i線レジスト (i-line Resist)
- KrFレジスト(KrF Resist)
- ウェット現像 (Wet Development 、Aquaous Development)
- 化学増幅型レジスト(CAR：Chemically Amplified Resist)
- 下層反射防止膜 (BARC：Bottom Anti-Reflective Coating)
- 下層膜 (BL：Bottom Layer)
- 欠陥密度 (Defect Density)
- 現像 (Development)
- 現像液 (Developer)
- ストキャスティクス欠陥 (Stochastics Defect)
- スピンコート (Spin Coating)
- 多層レジストスタック (Multi-layer Resist Stack)
- 多層レジストプロセス (Multi-layer Resist Process)
- 脱水ベーク (Dehydration Bake)
- 中間層膜 (ML：Middle Layer)
- 塗布現像装置 (Coater and Developer)
- ドライ現像 (Dry Development)
- ネガ型レジスト (Negative Tone Resist, NTD Resist)
- パターニング (Patterning)
- フォトレジスト (Photoresist)
- ポジ型レジスト (Positive Tone Resist, PTD Resist)
- ポストアプライベーク (PAB：Post Apply Bake)、プリベーク (Pre Bake)
- ポストクスポージャベーク (PEB)
- ポストベーク (Post Bake)
- メタルオキサイドレジスト (MOR：Metal Oxide Resist )
- 誘導自己組織化 (DSA：Directed Self Assembly)
- レジスト (Resist)、フォトレジスト (Photoresist)
- レジストフィルター (Resist Filter)
- レジスト溶剤 (Resist Solvent)
8.リソグラフィ評価指標
- MEEF (Mask Error Enhanced Factor)
- NILS (Normalized Image Log Slope)
- Z-ファクター (Z-Factor)
- アライメント (重ね合わせ)精度 (Overlay)
- イメージ・ログ・スロープ (ILS：Image Log Slope)
- エッジプレースメントエラー (EPE：Edge Placement Error)
- 解像度 (Resolution)
- 感度 (Sensitivity)
- 焦点位置精度 (Focus Uniformity)
- 焦点深度 (DOF：Depth of Focus)
- パターン寸法均一性 (CDU：Critical Dimension Uniformity)
- プロセスウィンドウ (PW: Process Window)
- ラインエッジラフネス (LER：Line Edge Roughness)
- レジストライン幅ラフネス (LWR：Line Width Roughness)
- ローカルCD均一性 (局所寸法均一性、LCDU：Local CDU)
- 露光量裕度 (EL：Exposure Latitude)
9.ナノインプリントリソグラフィー (NIL：Nanoimprint Lithigraphy)
- RLT：Residual Layer Thickness
- TTMアライメント (Through The Mask Alignment)
- UVナノインプリント方式(UV NIL)
- UV NIL用合成石英ガラス製モールド(Synthetic Silica Glass Mold for UV NIL)
- 高次ディストーション補正 (HODC：High Order Distortion Control)
- シリコンモールド (Silicon Mold)
- 石英モールド (Quarz Mold)
- ディスペンサー (Dispenser)
- ドロップパターン (Drop Pattern)
- ドロップレシピ (Drop Recipe)
- ナノインプリント (NIL：Nano Imprint Lithography)
- ナノインプリントリソグラフィー (NIL：Nanoimprint Lithigraphy)
- 熱ナノインプリント方式 (Thermal NIL)
- マスターマスク (Master Mask)
- モールド (Mold)、マスク (Mask)
- レプリカマスク (Replica Mask)